行业分析报告

作为后Si半导体的化合物半导体（宽带隙半导体）在诸如高频、功率和光学类的各个领域都引起了人们的关注。 由于其高输出、高速度、高效率和集成性，预计将在5G通信、自动操作、loT等中用作“高频设备”、“光学设备”和“交换设备”的化合物半导体。了解每种设备/应用的产品趋势，所需特性以及材料研究/开发/采用趋势，并预测对市场的影响。

目次

1.0 総括編     1

 1.1 総括     2

 1.2 化合物半導体器件市場的現状及将来展望    4

 1.3 化合物半導体晶片市場的現状及将来展望    17

 1.4 化合物半導体晶片開発路线图      18

 1.5 晶片製造技術動向 19

 1.6 按频率?波長采用化合物半導体的趋势      20

 1.7 参入企业一覧     22

2.0 装置編     24

 2.1 高频装置 25

 2.1.1 GaAs系高频装置      25

 2.1.2 GaN系高频装置       32

 2.1.3 SiGe系高频装置      40

 2.1.4 InP系高频装置       42

 2.2 光装置   44

 2.2.1 LD   44

 2.2.2 UV-LED       53

 2.2.3 PD   57

3.0 晶圆編            61

 3.1 GaAs晶片 62

 3.2 GaN 晶片 69

 3.3 GaP晶片          77

 3.4 Ga2O3晶片       81

 3.5 InP晶片  85

 3.6 SiC晶片         90

 3.7 SiGe晶片 97

4.0 企業事例編        99

 4.1 SCIOCS   100

 4.2 昭和電工 102

 4.3 信越半導体       104

 4.4 住友電気工業     106

 4.5 Novel Crystal Technology 109

 4.6 三菱電機 111

 4.7 Cree     113

 4.8 NXP Semiconductors       115

 4.9 VPEC     117

 4.10 II-VI (Finisar) 119